关键信息
英特尔正在改进其 EMIB 和 Foveros 封装技术，以扩展高端 CPU 和 GPU 设计。 通过整合这些方法，英特尔旨在构建能够横向和纵向扩展的复杂系统级封装 (SiP)，超越传统的硅中介层，以支持大规模 AI 和数据中心工作负载。
EMIB 技术正通过更精细的互连间距以及引入 EMIB-T（集成了硅通孔以改善供电）而不断进步。 英特尔预计 EMIB-T 将于 2027 年实现大规模生产。 未来的迭代可能会利用玻璃芯基板来提高封装尺寸达到光罩尺寸 12 倍时的稳定性。
Foveros 系列现在包括 2.5D 和 3D 集成选项。 Xeon 6 'Clearwater Forest' 处理器中采用的 Foveros Direct 3D 利用铜对铜混合键合技术实现了低于 10 µm 的间距。
与传统的基于微凸块的堆叠相比，该方法消除了焊球，改善了散热和信号密度。 英特尔的 EMIB 3.5D 架构结合了这些技术，通过 EMIB 桥接器横向连接垂直堆叠的模块。 虽然这种方法实现了大规模异构集成，但英特尔选择不在其即将推出的 'Diamond Rapids' Xeon 处理器中使用 EMIB 3.5D，而是转而采用 UCIe-S 进行横向连接。
