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分析英特尔的 EMIB 和 Foveros 先进封装路线图

英特尔正在改进其 EMIB 和 Foveros 封装技术，以扩展高端 CPU 和 GPU 设计。 通过整合这些方法，英特尔旨在构建能够横向和纵向扩展的复杂系统级封装 (SiP)，超越传统的硅中介层，以支持大规模 AI 和数据中心工作负载。 EMIB 技术正通过更精细的互连间距以及引入 EMIB-T（集成了硅通孔以改善供电）而不断进步。 英特尔预计 EMIB-T 将于 2027 年实现大规模生产。 未来的迭代可能会利用玻璃芯基板来提高封装尺寸达到光罩尺寸 12 倍时的稳定性。

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