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据报道，三星正在与台积电建立合作伙伴关系，为英伟达的 NVHBM 内存标准供应基础裸片（base die）。 这种新架构将控制器直接集成到 3D HBM 堆栈中，以提高整体系统性能。

英伟达要求 NVHBM 的基础裸片必须使用台积电的 3nm 工艺制造，以满足 IP 优化的需求。 因此，三星将利用台积电生产这些特定组件，同时继续使用其自有的第六代 10nm 工艺制造内存部分。

NVHBM 标准承诺在 HBM4E 的基础上实现显著的技术改进，包括内存带宽增加 30% 以及功耗降低 15%。 此外，该设计使处理单元上可用的计算裸片面积增加了 25%。

这些效率提升为计算裸片提供了额外的散热空间。 随着带宽的预期提升，单个 NVHBM 单元的速度有望达到约 5.2 TB/s，这反映了向更强大内存替代方案的转变。

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