Información clave
Según se informa, Samsung está estableciendo una asociación con TSMC para suministrar bases die (base dies) para el estándar de memoria NVHBM de NVIDIA. Esta nueva arquitectura incorpora el controlador directamente en la pila HBM 3D para mejorar el rendimiento general del sistema.
NVIDIA exige que la base die para NVHBM se fabrique utilizando el nodo de 3 nm de TSMC debido a los requisitos de optimización de IP. En consecuencia, Samsung utilizará a TSMC para estos componentes específicos mientras continúa fabricando la parte de memoria utilizando sus propios procesos de 10 nm de sexta generación.
El estándar NVHBM promete mejoras técnicas significativas sobre HBM4E, incluido un aumento del 30% en el ancho de banda de la memoria y una reducción del 15% en el consumo de energía. Además, el diseño permite un 25% más de área de die de computación utilizable en la unidad de procesamiento.
Estas ganancias de eficiencia proporcionan un margen térmico adicional para los dies de computación. Con las mejoras de ancho de banda proyectadas, una sola unidad NVHBM podría alcanzar potencialmente velocidades de aproximadamente 5.2 TB/s, lo que refleja un cambio hacia alternativas de memoria más potentes.
