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Berichten zufolge geht Samsung eine Partnerschaft mit TSMC ein, um Basis-Dies für den NVHBM-Speicherstandard von NVIDIA zu liefern. Diese neue Architektur integriert den Controller direkt in den 3D-HBM-Stack, um die allgemeine Systemleistung zu verbessern.
NVIDIA schreibt vor, dass das Basis-Die für NVHBM aufgrund von Anforderungen an die IP-Optimierung mit dem 3-nm-Verfahren von TSMC hergestellt werden muss. Folglich wird Samsung für diese spezifischen Komponenten auf TSMC zurückgreifen, während der Speicherteil weiterhin mit den eigenen 10-nm-Prozessen der sechsten Generation gefertigt wird.
Der NVHBM-Standard verspricht signifikante technische Verbesserungen gegenüber HBM4E, darunter eine Steigerung der Speicherbandbreite um 30 % und eine Senkung des Stromverbrauchs um 15 %. Zudem ermöglicht das Design 25 % mehr nutzbare Rechen-Die-Fläche auf der Prozessoreinheit.
Diese Effizienzgewinne bieten zusätzlichen thermischen Spielraum für Rechen-Dies. Mit den prognostizierten Bandbreitenverbesserungen könnte eine einzelne NVHBM-Einheit potenziell Geschwindigkeiten von etwa 5,2 TB/s erreichen, was einen Wandel hin zu leistungsfähigeren Speicheralternativen widerspiegelt.
