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GlobalFoundries ha presentado FDX Fusion, una nueva tecnología de semiconductores que marca el regreso de la compañía a la carrera de nodos de vanguardia. Este desarrollo sigue a la decisión de la firma en 2018 de detener el desarrollo del nodo de 7 nm debido al aumento de los costos y la complejidad.
La plataforma FDX Fusion utiliza tecnología de silicio sobre aislante totalmente agotado (FD-SOI) para crear una capa aislante debajo del canal. Esta arquitectura admite computación en memoria de ultra bajo consumo, memoria no volátil integrada y diseños lógicos de alta densidad.
La compañía informa que este nodo logra características de clase 7 nm y duplica la densidad de transistores de su predecesor 22FDX. GlobalFoundries tiene la intención de apuntar a aplicaciones especializadas, incluidas capas de IA física, sistemas automotrices y ASIC.
La tecnología está diseñada para abordar los requisitos modernos de detección y tareas computacionales pesadas. La producción en masa está programada para 2028 en las instalaciones de la compañía en Dresde, Alemania, lo que se espera que refuerce la soberanía europea en materia de chips. Se anticipan demostraciones de tecnología para el próximo año, y los kits de diseño de procesos están programados para su lanzamiento a mediados de 2027.
